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半導体ひずみゲージ

半導体ひずみゲージ

マイクロン社の半導体ひずみゲージは、プルドボロン添加バルクシリコンで作られております。
P/N接合はありません。シリコンは然るべき形状にエッチングされており、分子の転位やクラックの心配がなく最適な性能を実現しています。

半導体ひずみゲージの型式番号の見方(SSシリーズ)

標準仕様表

温度・抵抗整合性
※温度に対するベース抵抗の差異
温度 整合性
-178℃ ±3Ω
25.6℃ ±2Ω
136.67℃ ±2Ω
材質 チョクラルスキー法によるプルドボロン添加シリコン
ゲージリード Φ0.05mm、金線、冗長12.7mm
コンタクトパッド 高温用ニッケル融合アルミニウム
リード取付 エポキシ強化パラレルギャップ溶接またはボールボンディング
測定範囲 ±2000με(最大±3000με)
非直線性 ±0.25%RO以内(600μεまで)
±1.5%RO以内(1500μεまで)
最高使用温度 315.56℃

M型 半導体ひずみゲージ

M型図面

型式番号 全長(mm) アクティブ長(mm) 幅(mm) リード取付 厚さ(mm) 抵抗(室温) ゲージ率 ゲージ率の温度係数 抵抗の温度係数
SS-060-040-2500PM 1.524 1.016 0.813 溶接 0.010 2500 ±150Ω 140 ±10 -13% 17%

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